| CMOS器件用金属栅材料的研究进展 |
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| 引用本文： | 蔡苇,符春林,邓小玲,程文德.CMOS器件用金属栅材料的研究进展[J].金属功能材料,2008,15(3):43-48. |
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| 作者姓名： | 蔡苇 符春林 邓小玲 程文德 |
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| 作者单位： | 1. 重庆科技学院冶金与材料工程学院,重庆,401331;重庆大学材料科学与工程学院,重庆,400044
2. 重庆科技学院冶金与材料工程学院,重庆,401331 |
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| 基金项目： | 重庆市教委资助项目
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重庆科技学院科技创新团队建设工程项目
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中国博士后科学基金
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重庆市自然科学基金 |
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| 摘 要： | 传统多晶硅栅已不能适应CMOS器件尺寸进一步减小的要求,因此需要金属栅极材料来取代多晶硅.本文综述了多晶硅栅极存在的问题;金属栅极材料性能的要求;新型金属栅材料的研究进展及热点.最后提出了金属栅极材料研究中需要进一步解决的问题.
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| 关 键 词： | 金属栅 综述 多晶硅 性能 |
| 文章编号： | 1005-8192(2008)02-0043-06 |
| 修稿时间： | 2007年8月27日 |
Progress of Studies on Metal Gate Electrode in CMOS Device |
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| CAI Wei,FU Chun-lin,DENG Xiao-ling,CHEN Wen-de.Progress of Studies on Metal Gate Electrode in CMOS Device[J].Metallic Functional Materials,2008,15(3):43-48. |
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| Authors: | CAI Wei FU Chun-lin DENG Xiao-ling CHEN Wen-de |
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