| 用氢化物气相外延(HVPE)法生长的氮化铟薄膜的性质研究 |
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| 引用本文： | 俞慧强,修向前,张荣,华雪梅,谢自力,刘斌,陈鹏,韩平,施毅.用氢化物气相外延(HVPE)法生长的氮化铟薄膜的性质研究[J].高技术通讯,2014,24(9). |
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| 作者姓名： | 俞慧强 修向前 张荣 华雪梅 谢自力 刘斌 陈鹏 韩平 施毅 |
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| 作者单位： | 1. 南京大学现代分析中心 南京210093
2. 江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京大学电子科学与工程学院 南京,210093 |
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| 基金项目： | 973计划，863计划，国家自然科学基金，江苏省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 在自制设备上用氢化物气相外延(HVPE)方法在α-Al2O3以及GaN/α-Al2O3衬底上生长了InN薄膜,并对其性质进行了研究.重点研究了生长温度的变化对所获得的InN薄膜的影响,并利用X射线衍射研究了InN薄膜的结构,用扫描电子显微镜研究了其表面性质,用霍尔测量研究了其电学性质.X射线衍射的结果表明,直接在α-Al2O3上生长得到的是InN多晶薄膜;而在GaN/α-Al2O3上得到的InN薄膜都只有(0002)取向,并且没有金属In或是In相关的团簇存在.综合分析可以发现,在650℃时无法得到InN薄膜,而在温度550℃时生长的InN薄膜具有光滑的表面和最好的晶体质量.
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| 关 键 词： | 氮化铟(InN) 薄膜 氢化物气相外延(HVPE) |
Study the properties of the InN films grown by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | InN films hydride vapor phase epitaxy (HVPE) |
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