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| SOI前途如何 | |
| 作者姓名： | 陶建中 白水 |
| 摘 要： | 尽管SOI（绝缘体上硅）材料已经有几十年的历史了，但其应用一直被限制在抗辐射等特珠领域。然而，已有迹象表明采用8OI技术将成为当今IC主流技术。其理由是：泄漏和短为效应使得传统的体硅已不再适应先进的CMOS电路生产，而由SOI材料的隐理绝缘层呈现的隔离效应可满足先进CMOS电路的要求。最近几年来，人们已经研究开发了许多不同的SOI技术，但目前使用在集成电路生产上的只有两种：SIMOX（注入氧隔离）技术和粘合硅片技术。在SIMOX工艺中，标准硅片进行氧离于注入，然后再进行高温退火．结果在硅表层下氧和硅结合形成一层硅… |
| 关 键 词： | SOI 集成电路 制造 CMOS器件 |
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