| 关于塑封VDMOS器件热点的研究 |
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| 引用本文： | 柴彦科,蒲年年,谭稀,徐冬梅,崔卫兵,刘肃.关于塑封VDMOS器件热点的研究[J].现代电子技术,2014(17):113-116. |
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| 作者姓名： | 柴彦科 蒲年年 谭稀 徐冬梅 崔卫兵 刘肃 |
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| 作者单位： | 兰州大学微电子研究所;天水华天电子集团 |
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| 基金项目： | 甘肃省重大科技专项(1203GKDE008);甘肃省科技支撑计划-工业类项目(1204GKCA062) |
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| 摘 要： | 功率VDMOS器件作为新一代高压大电流功率器件兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点,广泛应用于各个领域。由于功率VDMOS的工作条件恶劣,在高温大电压的应用环境下失效概率较大。在所有的失效机制中,很大一部分是由于器件无法承受瞬间高压脉冲,致使器件芯片烧坏失效。表现出的是在芯片某处产生一明显的烧穿点即所谓的"热点"。这里主要介绍了塑封VDMOS器件进行单雪崩能量测试过程和实际应用中不良品产生热点的原因,从二次击穿的角度对其进行理论解释并提出一些改进措施。
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| 关 键 词： | 功率晶体管 单雪崩能量测试 热点 失效分析 |
Research on hot spots of plastic package VDMOS devices |
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| CHAI Yan-ke;PU Nian-nian;TAN Xi;XU Dong-mei;CUI Wei-bing;LIU Su.Research on hot spots of plastic package VDMOS devices[J].Modern Electronic Technique,2014(17):113-116. |
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| Authors: | CHAI Yan-ke;PU Nian-nian;TAN Xi;XU Dong-mei;CUI Wei-bing;LIU Su |
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| Affiliation: | CHAI Yan-ke;PU Nian-nian;TAN Xi;XU Dong-mei;CUI Wei-bing;LIU Su;Institute of Microelectronics,Lanzhou University;Tianshui Hua Tian Technology Ltd.; |
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