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基于90nm CMOS工艺的12GHz二分频器
引用本文:周春元,李国林,喻学艺,李宇根,张春,王志华. 基于90nm CMOS工艺的12GHz二分频器[J]. 微电子学, 2008, 38(5)
作者姓名:周春元  李国林  喻学艺  李宇根  张春  王志华
作者单位:1. 清华大学,微电子学研究所,北京,100084
2. 清华大学,电子工程系,北京,100084
摘    要:采用90 nm CMOS工艺,实现了一个基于电流模式逻辑的12 GHz二分频器.该分频器具有很宽的锁定频率范围(1~12 GHz),在输入信号频率为8 GHz时,输入灵敏度达到-30 dBm.分频器工作在1.2 V电源电压下,消耗的电流大约为1.5 mA.给出了该设计的后仿真结果.

关 键 词:分频器  电流模式逻辑  锁相环

A 12 GHz Divided-by-2 Frequency Divider Based on 90 nm CMOS Process
ZHOU Chunyuan,LI Guolin,YU Xueyi,RHEE Woogeun,ZHANG Chun,WANG Zhihua. A 12 GHz Divided-by-2 Frequency Divider Based on 90 nm CMOS Process[J]. Microelectronics, 2008, 38(5)
Authors:ZHOU Chunyuan  LI Guolin  YU Xueyi  RHEE Woogeun  ZHANG Chun  WANG Zhihua
Abstract:
Keywords:
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