| GaN管芯射频功率放大器的研究 |
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| 引用本文： | 陈名,赵学田.GaN管芯射频功率放大器的研究[J].物联网技术,2014(1):75-76,79. |
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| 作者姓名： | 陈名 赵学田 |
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| 作者单位： | 杭州电子科技大学电子信息学院,浙江杭州310018 |
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| 摘 要： | 给出了一种基于GaN管芯的C波段射频功率放大器的设计方法。该方法采用CREE公司的CGH60120D芯片,并利用ADS软件对管芯模型进行负载牵引,以得到管芯的最佳阻抗值,然后设计管芯的负载匹配电路和直流偏置电路。最后对整个电路系统进行仿真,使其达到预期的功率值。
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| 关 键 词： | GaN 负载牵引 射频 功率放大器 管芯 |
Research on RFPA with GaN dies |
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| CHEN Ming,ZHAO Xue-tian.Research on RFPA with GaN dies[J].Internet of things technologies,2014(1):75-76,79. |
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| Authors: | CHEN Ming ZHAO Xue-tian |
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| Affiliation: | (School of Electronic Information, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou 310018, China) |
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| Abstract: | A design method of radio-frequency power ampliifer （RFPA） based on GaN dies is provided, which uses CGH60120D chip of CREE. And the ADS software is used to pull the load for die model to get the best impedance value. The matching circuit of the load and DC bias circuit are designed. Finally the whole circle system is simulated to make it reach the expect power value. |
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| Keywords: | GaN GaN load pull radio-frequency power ampliifer die |
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