| 4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMTs台面隔离技术的改进 |
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| 引用本文： | 王冲,张进城,郝跃,杨燕.4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMTs台面隔离技术的改进[J].功能材料与器件学报,2006,12(3):247-250. |
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| 作者姓名： | 王冲 张进城 郝跃 杨燕 |
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| 作者单位： | 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071 |
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| 基金项目： | 国家研究发展基金
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西安电子科技大学校科研和校改项目 |
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| 摘 要： | 采用离子注入和ICP干法刻蚀相结合的台面隔离技术提高了4H-SiC衬底AlGaN/GaNHEMTs的直流特性和高频特性.与只采用干法刻蚀进行台面隔离的器件相比,相邻器件有源区之间的泄漏电流减少了两个数量级,栅肖特基泄漏电流在栅漏电压为-40V时由38.5μA减小到1.2μA,截止频率由3.2 GHz提高到6.7 GHz.分析了器件泄漏电流减小和频率特性提高的原因.
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| 关 键 词： | 高电子迁移率晶体管 台面隔离 泄漏电流 |
| 文章编号： | 1007-4252(2006)03-0247-04 |
| 修稿时间： | 2005年8月8日 |
Improvements of mesa isolation techniques for AlGaN/GaN HEMTs on 4H - SiC substrate |
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| WANG Chong,ZHANG Jin-cheng,HAO Yue,YANG yan.Improvements of mesa isolation techniques for AlGaN/GaN HEMTs on 4H - SiC substrate[J].Journal of Functional Materials and Devices,2006,12(3):247-250. |
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| Authors: | WANG Chong ZHANG Jin-cheng HAO Yue YANG yan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | high electron mobility transistors(HEMTs) mesa isolation leakage current |
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