| 等离子体增强原子层沉积Al_2O_3钝化多晶黑硅的研究 |
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| 引用本文： | 蒋晔,沈鸿烈,李杰,岳之浩,张磊,舒栩,宋扬,徐浩,邹健.等离子体增强原子层沉积Al_2O_3钝化多晶黑硅的研究[J].真空科学与技术学报,2015,35(1):105-108. |
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| 作者姓名： | 蒋晔 沈鸿烈 李杰 岳之浩 张磊 舒栩 宋扬 徐浩 邹健 |
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| 作者单位： | 南京航空航天大学材料科学与技术学院;常熟理工学院物理与电子工程学院 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(61176062);江苏省前瞻性联合研究项目(BY2013003-08);江苏省高等学校大学生创新创业训练计划项目(201310287041X);江苏省研究生培养创新工程(KYLX-0257);江苏高校优势学科建设工程资助项目 |
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| 摘 要： | 黑硅的纳米结构可以大大降低硅表面的入射光反射率,同时由于比表面积的增加使其钝化成为难题,从而影响其太阳电池的性能。等离子体增强原子层沉积(PEALD)法沉积的Al2O3钝化层具有良好的保型性和致密性,适用于黑硅纳米微结构的钝化。本文使用金属辅助化学法制备多晶黑硅,再经低浓度碱溶液处理优化黑硅结构,最后用PEALD沉积了不同厚度的Al2O3钝化层。采用扫描电镜、分光光度计和少子寿命测试仪对黑硅的表面形貌、减反射特性和少子寿命变化进行了分析。结果表明碱溶液处理后黑硅表面结构变得更为平滑,Al2O3钝化的黑硅经退火后少子寿命达到8.96μs,在可见光范围内反射率降低至3.7%,与传统制绒工艺的多晶硅片相比性能有明显提升。
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| 关 键 词： | 等离子体增强原子层沉积 黑硅 钝化 减反射 |
Passivation of Polycrystalline Black Siliconby Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition of Al2O3 |
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| Jiang Ye;Shen Honglie;Li Jie;Yue Zhihao;Zhang Lei;Shu Xu;Song Yang;Xu Hao;Zou Jian.Passivation of Polycrystalline Black Siliconby Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition of Al2O3[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2015,35(1):105-108. |
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| Authors: | Jiang Ye;Shen Honglie;Li Jie;Yue Zhihao;Zhang Lei;Shu Xu;Song Yang;Xu Hao;Zou Jian |
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| Affiliation: | Jiang Ye;Shen Honglie;Li Jie;Yue Zhihao;Zhang Lei;Shu Xu;Song Yang;Xu Hao;Zou Jian;College of Materials Science & Technology,Nanjing University of Aeronautics and Astronautics;Department of Physics,Changshu Institute of Technology; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | PEALD Black silicon Passivation Anti-reflectance |
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