| 零中频UHF RFID接收机中的低噪声放大器设计 |
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| 引用本文： | 张润曦, 石春琦, 崔建明, 赖宗声, 曹丰文,.零中频UHF RFID接收机中的低噪声放大器设计[J].电子器件,2007,30(2):450-453. |
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| 作者姓名： | 张润曦 石春琦 崔建明 赖宗声 曹丰文 |
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| 作者单位： | 1. 华东师范大学微电子电路与系统研究所,上海,200062
2. 苏州职业大学电子系,江苏,苏州,215000 |
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| 基金项目： | 上海市科委资助项目
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苏州学院资助项目 |
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| 摘 要： | 介绍了一个基于0.18μm标准CMOS工艺,可用于零中频UHF RFID(射频识别)接收机系统的900MHz低噪声放大器.根据射频识别系统的特点与要求对低噪放的结构、匹配、功耗和噪声等问题进行了权衡与分析,仿真结果表明:在1.2V供电时放大器可以提供20.8dB的前向增益,采用源端电感实现匹配并保证噪声性能,噪声系数约为1.1dB,放大器采用电流复用以降低功耗,每级电路从电源电压上抽取10mA左右的工作电流,并使反向隔离度达到-87dB.放大器的IP3为-8.4dBm,1dB压缩点为-18dBm.
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| 关 键 词： | 接收机 超高频段射频识别系统 零中频 互补金属氧化物半导体低噪声放大器 |
| 文章编号： | 1005-9490(2007)02-0450-04 |
| 修稿时间： | 2006年4月11日 |
CMOS LNA for Homodyne UHF RFID Receiver |
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| ZHANG Run-xi,SHI Chun-qi,CUI Jian-ming,LAI Zong-sheng,CAO Feng-wen.CMOS LNA for Homodyne UHF RFID Receiver[J].Journal of Electron Devices,2007,30(2):450-453. |
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| Authors: | ZHANG Run-xi SHI Chun-qi CUI Jian-ming LAI Zong-sheng CAO Feng-wen |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics Circuit & System,East China Normal University,Shanghai 200062;2.Dept of Microelectronics,Suzhou Vocational University,Suzhou Jiangsu 215000 |
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| Abstract: | A 1.2V 900MHz LNA for UHF RFID(Ultra High Frequency Radio Frequency Identification)systems implemented in TSMC 0.18μm standard CMOS process has been proposed.The circuitry is advised based on the features of the RFID application.This inductively degenerated common-source low noise amplifier provides a forward gain of 20.8dB with a noise figure of only 1.1dB while each stage drawing about 10mA current from 1.2V supply voltage.The spurious three stages structure which reuses the bias current guarantees a reverse isolation about-87dB.This LNA achieves IP3 of-8.4 dBm,1dB compression of-18dBm. |
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| Keywords: | receiver UHF RFID system homodyne CMOS low noise amplifier |
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