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半导体超晶格物理与器件(11)
作者姓名:彭英才
作者单位:河北大学电子与信息工程系
摘    要:半导体超晶格物理与器件(11)彭英才(河北大学电子与信息工程系071002)第三章超晶格异质结的结构表征20余年来,材料物理学家们已采用MBE和MO-CVD等现代超薄层外延工艺生长了各种超晶格和量子阱微结构,并对这些人工结构所具有的新鲜电子和物理性质...

关 键 词:半导体器件 半导体超晶格 异质结
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