| 体硅CMOS射频集成电路中高Q值在片集成电感的实现 |
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| 引用本文： | 张志勇,海潮和. 体硅CMOS射频集成电路中高Q值在片集成电感的实现[J]. 微电子学, 2003, 33(1): 15-18 |
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| 作者姓名： | 张志勇 海潮和 |
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| 作者单位： | 中国科学院,微电子中心,北京,100029 |
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| 摘 要： | ![]()
制作高Q值在片集成电感一直是体硅CMOS射频集成电路工艺中的一大难点，文章讨论和分析了体硅RF IC工艺中提高在片集成电感Q值的几种常用方法，这些方法都与CMOS工艺兼容。
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| 关 键 词： | 在片集成电感 射频集成电路 品质因素 钢互连 低k介质 体硅CMOS |
| 文章编号： | 1004-3365(2003)01-0015-04 |
| 修稿时间： | 2002-03-11 |
High Q-Factor On-chip Spiral Inductors for Bulk Silicon CMOS RF IC''s |
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| Abstract: | ![]()
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| Keywords: | On-chip inductors RF IC Quality factor Copper interconnections Low-k dielectric |
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