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| 半导体量子阱材料的调制光谱研究 | |
| 作者姓名： | 钱士雄 袁述 吴建耀 李郁芬 T.G.Andersson |
| 作者单位： | 复旦大学物理系,复旦大学物理系,复旦大学物理系,复旦大学物理系,Department of physics,Chalmeers University of Technology,Goteborg,Sweden 上海200433,上海200433,上海200433,上海200433 |
| 摘 要： | 我们采用光调制透射方法从In_xGa_(1-x)As/GaAs单量子阱样品测量了调制透射谱,得到了InGaAs量子阱中激子的清晰的调制结构.由电场调制原理对调制透射谱进行拟合,得到了激子的跃迁能量.结果与其他测量以及理论计算结果有较好的一致. |
| 关 键 词： | InGaAs／GaAs 量子阱 调制光谱 |
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