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| 发射极-基极-发射极结构PNP型AlGaAs/GaAsHBT电流增益的理论分析 | |
| 引用本文： | 严北平,张鹤鸣,戴显英.发射极-基极-发射极结构PNP型AlGaAs/GaAsHBT电流增益的理论分析[J].半导体学报,2001,22(1):74-79. |
| 作者姓名： | 严北平 张鹤鸣 戴显英 |
| 摘 要： | 建立了 PNP型异质结双极晶体管基区少数载流子浓度的解析模型 .理论分析了发射极 -基极 -发射极布局的PNP型 HBT的电流增益 .讨论了不同基极电流成分 ,如外基区表面复合电流 ,基极接触处的界面复合电流 ,基区体内复合电流 ,以及刻蚀台面处的台面复合电流对电流增益的影响 |
| 关 键 词： | HBT 解析模型 |
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