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基于PZT的500 MHz超声传感器设计和MEMS制作
引用本文:刘嘉,王续博,徐卫疆,周嘉. 基于PZT的500 MHz超声传感器设计和MEMS制作[J]. 传感器与微系统, 2018, 0(7): 63-65,69. DOI: 10.13873/J.1000-9787(2018)07-0063-03
作者姓名:刘嘉  王续博  徐卫疆  周嘉
作者单位:复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,200433法国国家科研中心电子微电子与纳米技术研究所UMR CNRS 8520瓦朗谢纳和埃诺-坎布雷斯大学声光电子学部,法国F-59313
基金项目:国家自然科学基金面上资助项目(61674043)
摘    要:利用KLM等效电路模型设计了一种中心频率为478 MHz的超声传感器.采用溶胶-凝胶法在硅衬底上制备了厚度为4μm的锆钛酸铅(PZT)厚膜压电材料,对压电材料的晶体结构、表面剖面形貌、压电性进行了测试,材料均匀致密,具有较好的压电性.研究了超声传感器的制作工艺,制作出实际工作频率为459 MHz的高频超声传感器,搭建测试平台测试其电阻抗,实验值与理论值相匹配,电阻抗误差为1.8%,中心频率误差为3.9%.

关 键 词:超声传感器  高频  锆钛酸铅厚膜  压电材料

Design of PZT-based 500 MHz ultrasonic sensor and MEMS fabrication
LIU Jia,WANG Xu-bo,XU Wei-jiang,ZHOU Jia. Design of PZT-based 500 MHz ultrasonic sensor and MEMS fabrication[J]. Transducer and Microsystem Technology, 2018, 0(7): 63-65,69. DOI: 10.13873/J.1000-9787(2018)07-0063-03
Authors:LIU Jia  WANG Xu-bo  XU Wei-jiang  ZHOU Jia
Abstract:
Keywords:
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