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电子束光刻制备Au线栅阵列及表征
引用本文:谢莹.电子束光刻制备Au线栅阵列及表征[J].信息记录材料,2019(5):158-159.
作者姓名:谢莹
作者单位:1.长春理工大学
摘    要:简单介绍了电子束光刻的优缺点及其在科研领域中展现的巨大应用潜力,重点阐述了如何利用基于扫描电子显微镜技术的电子束曝光工艺实现Au线栅阵列的制备,并得到了与实验设计周期和线宽相符的微结构。采用扫描电子显微镜和原子力显微镜对样片表面进行表征获得Au线栅的形貌和高度。通过测量接触角,获得了Au线栅的润湿特性。

关 键 词:电子束曝光  微纳加工  线栅
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