| 氮化H_2-O_2合成薄栅氧抗辐照特性 |
| |
| 引用本文： | 刘新宇,刘运龙,孙海锋,海潮和,吴德馨,和致经,刘忠立.氮化H_2-O_2合成薄栅氧抗辐照特性[J].半导体学报,2001,22(12):1596-1599. |
| |
| 作者姓名： | 刘新宇 刘运龙 孙海锋 海潮和 吴德馨 和致经 刘忠立 |
| |
| 作者单位： | [1]中国科学院微电子中心,北京100029 [2]中国科学院半导体研究所,北京100083 |
| |
| 摘 要： | 对氮化 H2 - O2 合成薄栅氧抗辐照性能进行了研究 ,将 H2 - O2 合成和氮氧化栅两种技术结合起来 ,充分利用两者的优点制成三层结构的 Sandwich栅 ,对比常规氧化、H2 - O2 合成氧化和氮化 H2 - O2 合成氧化三种方式及不同退火条件 ,得出氮化 H2 - O2 合成氧化方法抗辐照性能最佳 ,采用硅化物工艺加快速热退火是未来抗辐照工艺发展的趋势 ;并对氮化 H2 - O2 合成栅的抗辐照机理进行了研究
|
| 关 键 词： | 氮化H2-O2合成 抗辐照 快速热退火 |
| 文章编号： | 0253-4177(2001)12-1596-04 |
| 修稿时间： | 2001年2月15日 |
Radiation Characteristics of N2O-Annealed H2-O2 Grown Oxide |
| |
| LIU Xin yu ,LIU Yun long ,SUN Hai feng ,HAI Chao he ,WU De xin ,HE Zhi jing and LIU Zhong li.Radiation Characteristics of N2O-Annealed H2-O2 Grown Oxide[J].Chinese Journal of Semiconductors,2001,22(12):1596-1599. |
| |
| Authors: | LIU Xin yu LIU Yun long SUN Hai feng HAI Chao he WU De xin HE Zhi jing and LIU Zhong li |
| |
| Affiliation: | LIU Xin yu 1,LIU Yun long 1,SUN Hai feng 1,HAI Chao he 1,WU De xin 1,HE Zhi jing 2 and LIU Zhong li 2 |
| |
| Abstract: | The ionizing radiation characteristics of the nitrided thin gate oxide grown in H 2 O 2 ambient are presented.Considering the advantages of both H 2 O 2 oxidation and nitridation,a three layer structure "Sandwich" gate oxide is fabricated.Compared with other methods,such as normal dry O 2 oxidation,H 2 O 2 oxidation and different annealing processing,the nitrided H 2 O 2 grown oxide,combined with silicide and RTA process,is considered to be the optimum process for radiation hard technology.Its radiation hardness mechanism is also discussed. |
| |
| Keywords: | nitridation and H 2 O 2 oxidation radiation hard RTA |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
