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分子束外延HgCdTe材料生长参数的实时监测研究
引用本文:王善力,于梅芳,乔怡敏,杨建荣,巫艳,袁诗鑫,何力. 分子束外延HgCdTe材料生长参数的实时监测研究[J]. 红外与毫米波学报, 1998, 17(4): 287-291
作者姓名:王善力  于梅芳  乔怡敏  杨建荣  巫艳  袁诗鑫  何力
作者单位:中国科学院上海技术物理研究所半导体薄膜材料研究中心及红外物理国家重点实验室,上海,200083
基金项目:国家杰出青年科学基金,上海市科学研究基金
摘    要:报道了用椭圆偏振技术和红外辐射测温技术对HgCdTe生长关键参数实时监测的结果,建立了HgCdTe材料在生长温度下的标准光学常数数据库,在研究中对生长过程中材料的发射率以及红外辐射强度进行了理论分析,为生长温度的实时精确控制提供了理论依据,并在实验上获得了小于±1℃的生长温度控制精度.

关 键 词:分子束外延 实时监测 红外辐射测温 汞镉碲
修稿时间:1997-01-24

REAL TIME MONITORING OF GROWTH PARAMETERS OF MBE GROWN HgCdTe
WANG Shan Li YU Mei Fang QIAO Yi Min YANG Jian Rong WU Yan YUAN Shi Xin HE Li. REAL TIME MONITORING OF GROWTH PARAMETERS OF MBE GROWN HgCdTe[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 1998, 17(4): 287-291
Authors:WANG Shan Li YU Mei Fang QIAO Yi Min YANG Jian Rong WU Yan YUAN Shi Xin HE Li
Abstract:
Keywords:MBE   HgCdTe   real time monitoring   ellipsometry   infrared pyrometry
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