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| 全离子注入自对准难熔金属氮化物复合栅GaAs MESFET技术研究 | |
| 引用本文： | 高玉芝,张利春,尹红坤,宁宝俊.全离子注入自对准难熔金属氮化物复合栅GaAs MESFET技术研究[J].半导体学报,1996,17(1):27-34. |
| 作者姓名： | 高玉芝 张利春 尹红坤 宁宝俊 |
| 作者单位： | 北京大学微电子研究所 |
| 摘 要： | 本文研究了先进的全离子注入自对准难熔金属氮化物复合栅ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ场效应晶体管的工艺技术．首次使用Ｍｏ／ＺｒＮ作为复合栅的材料，ＡＩＮ薄膜作为器件介质钝化层，制作出了可用于ＧａＡｓ超高速集成电路的场效应晶体管，晶体管的跨导为１６０ｍＳ／ｍｍ，其栅漏反向击穿电压大于５Ｖ． |
| 关 键 词： | MESFET 砷化镓 全离子注入 场效应晶体管 |
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