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| AlxGa1—xAs／GaAs价带偏移的理论计算 | |
| 引用本文： | 王仁智,郑永梅.AlxGa1—xAs／GaAs价带偏移的理论计算[J].半导体学报,1996,17(3):161-165. |
| 作者姓名： | 王仁智 郑永梅 |
| 作者单位： | 厦门大学物理系 |
| 摘 要： | ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ合金型异质结价带偏移的研究中，采用以平均键能为参考能级的ΔＥＶ理论计算方法，得到ΔＥｖ（ｘ）＝０．５３１ｘ＋０．００１ｘ＾２的理论计算结果。该计算结果与目前的一些实验结果符合较好。 |
| 关 键 词： | AlGaAs 砷化镓 价带偏移 |
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