| Cd(II)掺杂TiO2多孔纳米晶膜电极的表征及其光电化学行为 |
| |
| 引用本文： | 李卫华,郝彦忠,王艳芹,乔学斌,杨迈之,蔡生民.Cd(II)掺杂TiO2多孔纳米晶膜电极的表征及其光电化学行为[J].过程工程学报,1999,20(2). |
| |
| 作者姓名： | 李卫华 郝彦忠 王艳芹 乔学斌 杨迈之 蔡生民 |
| |
| 作者单位： | 北京大学化学与分子工程学院,北京,100871 |
| |
| 摘 要： | 利用X射线粉末衍射法和原子力显微镜对镉掺杂的TiO2纳米晶膜电极作了表征,并用光电化学方法测定了该电极的光电化学行为.实验发现当镉的掺杂量低于15%时,镉与TiO2形成固熔体,掺杂量高时出现CdTiO3的独立相;随着镉含量的增加,纳米晶颗粒逐渐变大(粒径从10nm到20nm).镉含量的多少直接影响光电流的大小和符号,当Cd含量(相对于Ti的质量分数)为5%时光电流最大,外加电压为0.3V时光电流比纯TiO2多孔纳米晶膜电极高一倍以上;当Cd含量超过30%时出现p-n转换现象.
|
| 关 键 词： | Cd(II)掺杂TiO2多孔纳米晶膜电极 光电流作用谱 光响应 |
CHARACTERIZATION AND PHOTOELECTROCHEMICAL BEHAVIOR OF Cd(II)-DOPED TiO2 NANOPOROUS FILM ELECTRODE |
| |
| LI Weihua,HAO Yanzhong,WANG Yanqin,QIAO Xuebin,YANG Maizhi,CAI Shengmin.CHARACTERIZATION AND PHOTOELECTROCHEMICAL BEHAVIOR OF Cd(II)-DOPED TiO2 NANOPOROUS FILM ELECTRODE[J].Chinese Journal of Process Engineering,1999,20(2). |
| |
| Authors: | LI Weihua HAO Yanzhong WANG Yanqin QIAO Xuebin YANG Maizhi CAI Shengmin |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
