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多晶硅太阳电池用SiN薄膜的研究进展
引用本文:王晓泉,杨德仁,席珍强.多晶硅太阳电池用SiN薄膜的研究进展[J].材料导报,2002,16(3):23-25.
作者姓名:王晓泉  杨德仁  席珍强
作者单位:浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027
基金项目:国家自然科学基金(№59976035),教育部优秀青年教师基金,教育部博士点基金
摘    要:SiN薄膜因为具有良好的减反射性质和钝化作用,已经越来越广泛地应用于多晶硅太阳电池的制造工艺中,介绍了SiN薄膜在硅太阳电池中的性质,制备方法等研究现状,同时提出了存在的问题并展望了今后的发展趋势。

关 键 词:SiN  多晶硅  PECVD  太阳电池  氮化硅薄膜  研究进展  性质  制备

Research Progress in SiN for Multicrystalline Silicon Solar Cells
WANG Xiaoquan YANG Deren XI Zhenqiang.Research Progress in SiN for Multicrystalline Silicon Solar Cells[J].Materials Review,2002,16(3):23-25.
Authors:WANG Xiaoquan YANG Deren XI Zhenqiang
Abstract:Due to the excellent antireflection and passivation,SiN film has been applied in the high-efficiency processing of multicrystalline silicon solar cells recently.In this paper,the properties and fabrication techniques of SiN are introduced,and existing problems and future prospect are reviewed.
Keywords:SiN  multicrystalline silicon  PECVD  solar cells
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