| B/Al掺杂ZnS电子结构的第一性原理研究 |
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| 引用本文： | 刘果红. B/Al掺杂ZnS电子结构的第一性原理研究[J]. Canadian Metallurgical Quarterly, 2011, 19(1) |
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| 作者姓名： | 刘果红 |
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| 作者单位： | 安徽建筑工业学院数理系,合肥,230601 |
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| 摘 要： | ![]()
用第一性原理的赝势方法,计算了B和Al掺杂ZnS的电子结构差异.根据计算,掺杂时B原子p态在导带底附近形成高度局域态,而Al原子p态则较为离域;B和Al原子的s态均具有较好的离域性.以上结果表明,从获得n型导电性的角度而言,Al掺杂优于B掺杂.
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| 关 键 词： | 第一性原理 硫化锌 掺杂 |
First-principles studies on the electronic structures of ZnS doped by Boron and Aluminum |
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| LIU Guo-ong. First-principles studies on the electronic structures of ZnS doped by Boron and Aluminum[J]. Canadian Metallurgical Quarterly, 2011, 19(1) |
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| Authors: | LIU Guo-ong |
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| Abstract: | ![]()
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| Keywords: | |
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