ICP-OES测定镍钴锰氢氧化物中硅含量 |
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引用本文: | 周兆海,李沃颖.ICP-OES测定镍钴锰氢氧化物中硅含量[J].广州化工,2019,47(14). |
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作者姓名: | 周兆海 李沃颖 |
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作者单位: | 江门市芳源新能源材料有限公司,广东 江门,529000;江门市芳源新能源材料有限公司,广东 江门,529000 |
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摘 要: | 采用电感耦合等离子体原子发射光谱仪(ICP-OES)测定镍钴锰三元氢氧化物中硅元素的含量。研究了锰对镍钴锰氢氧化物中硅测试的干扰,发现在最灵敏波长251. 611 nm下,硅的检测值随着溶液中锰含量的增加而增加,而在次灵敏波长212. 412 nm下检测,硅的检测值不随溶液中锰含量的变化而变化。该方法检出限为0. 014 mg/L,相对标准偏差为0. 749%,加标回收率为95%~105%之间。因此,镍钴锰氢氧化物中硅测试应使用次灵敏波长212. 412 nm。
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关 键 词: | 镍钴锰氢氧化物 硅含量 电感耦合等离子体原子发射光谱仪 |
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