AIN和SiOxNy薄膜与其GaAs衬底间界面应力的喇曼光谱研究 |
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引用本文: | 侯永田,高玉芝.AIN和SiOxNy薄膜与其GaAs衬底间界面应力的喇曼光谱研究[J].半导体学报,1994,15(12):809-813. |
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作者姓名: | 侯永田 高玉芝 |
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摘 要: | 本文用喇曼放射方法研究了在GaAs衬底上用S-枪磁控反应溅射的AIN和PECVD淀积的SiOxNy薄膜界面应力,并研究了这两种薄膜在N2和Ar气氛下的高温热处理对界面应力的影响。结果表明,与SiOxNy薄膜不同,在GaAs衬底上制备的AIN薄膜,其界面应力很不,而且经N2和Ar气氛下的高温快速热退火,仍具有较好的稳定性,从而表明AIN是GaAs集成电路技术中一种较好的绝缘介质、钝化层和保护材料。
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关 键 词: | 薄膜 砷化镓 界面应力 喇曼光谱 AIN SiOxNy |
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