| 多孔硅的I-V特性及NO2气敏特性研究 |
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| 引用本文： | 孙凤云,胡明,孙鹏,陈鹏,刘博.多孔硅的I-V特性及NO2气敏特性研究[J].传感技术学报,2009,22(3). |
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| 作者姓名： | 孙凤云 胡明 孙鹏 陈鹏 刘博 |
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| 作者单位： | 天津大学电子信息工程学院,天津,300072 |
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| 摘 要： | 采用双槽电化学腐蚀法在p+单晶硅表面制备多孔硅层,然后在多孔硅表面沉积形成Pt薄膜电极,制备出多孔硅气敏元件样品.利用SEM技术分析多孔硅的表面形貌,研究了腐蚀条件对多孔硅的孔隙率、横向I-V特性及低浓度NO2气敏特性的影响.结果表明,多孔硅的横向I-V特性表现出非整流的欧姆接触;多孔硅的孔隙率及其对低浓度NO2的灵敏度均随腐蚀电流密度的增大而增加.当腐蚀电流密度为90 mA/cm2,腐蚀时间为30 min时,所得多孔硅气敏元件对体积分数为200×10-9的NO2的灵敏度可达到5.25,响应时间与恢复时间约分别为14 min与10 min.
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| 关 键 词： | 多孔硅 孔隙率 I-V特性 NO2气敏特性 |
Study on the Electrical and NO2 gas-sensing properties of Porous Silicon |
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| Sun Fengyun,Hu Ming,Sun Peng,Chen peng,Liu Bo.Study on the Electrical and NO2 gas-sensing properties of Porous Silicon[J].Journal of Transduction Technology,2009,22(3). |
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| Authors: | Sun Fengyun Hu Ming Sun Peng Chen peng Liu Bo |
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| Affiliation: | School of Electronic Information Engineering, Tianjin Universty, Tianjin 300072, China |
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