微电子所采用SiCMOS工艺在单通道超高速ADC芯片研制上取得进展

日前,中科院微电子所专用集成电路与系统研究室陈勇博士生在周玉梅、黑勇研究员的带领及巨浩等模拟设计人员的协助下,借助电子系统总体技术研究室测试仪器．采用SMIC0．18？mCMOS混合信号工艺自主研制的6bit 1．2GHz单通道超高速ADC芯片取得进展。