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| DC-20GHz射频MEMS开关 | |
| 引用本文： | 朱健,林金庭,林立强.DC-20GHz射频MEMS开关[J].半导体学报,2001,22(6). |
| 作者姓名： | 朱健 林金庭 林立强 |
| 作者单位： | 南京电子器件研究所,南京 210016 |
| 摘 要： | 描述了DC-20GHz射频MEMS开关的设计和制造工艺.开关为一薄金属膜桥组成的桥式结构,形成一个单刀单掷(SPST)并联设置的金属-绝缘体-金属接触.开关通过上下电极之间的静电力进行控制,其插入损耗及隔离性能取决于开态和关态的电容.测试结果如下:射频MEMS开关驱动电压约为20V,在"开”态下DC-20GHz带宽的插入损耗小于0.69dB;在"关”态下在14-18GHz时隔离大于13dB,在18-20GHz时隔离大于16dB.本器件为国内首只研制成功的宽带射频MEMS开关. |
| 关 键 词： | 微电子机械系统 射频开关 宽带 |
DC-20GHz RF MEMS Switch |
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