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| 部分耗尽CMOS/SOI工艺 | |
| 引用本文： | 刘新宇,孙海峰,陈焕章,扈焕章,海潮和,刘忠立,和致经,吴德馨.部分耗尽CMOS/SOI工艺[J].半导体学报,2001,22(6). |
| 作者姓名： | 刘新宇 孙海峰 陈焕章 扈焕章 海潮和 刘忠立 和致经 吴德馨 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院微电子中心,北京 100029 2. 中国科学院半导体研究所,北京 100083 |
| 摘 要： | 对部分耗尽CMOS/SOI工艺进行了研究,成功地开发出成套部分耗尽CMOS/SOI抗辐照工艺.其 |
| 关 键 词： | PBL 沟道工程 双层布线 |
Technology of Partially Depleted CMOS/SOI |
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