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| (Si,Er)双注入热氧化SiO2/Si薄膜的表面结构及1.54μm光发射 | |
| 引用本文： | 徐飞,肖志松,程国安,易仲珍,曾宇昕,张通和,顾岚岚.(Si,Er)双注入热氧化SiO2/Si薄膜的表面结构及1.54μm光发射[J].半导体学报,2001,22(10). |
| 作者姓名： | 徐飞 肖志松 程国安 易仲珍 曾宇昕 张通和 顾岚岚 |
| 作者单位： | 1. 复旦大学;南昌大学材料科学与工程系 2. 北京师范大学 3. 南昌大学材料科学与工程系, 4. 复旦大学 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家重点实验室基金 |
| 摘 要： | 利用金属蒸气真空弧(MEVVA)离子源将Si和Er离子双注入到不同厚度热氧化SiO2/Si薄膜中获得Er掺杂硅基发光薄膜.掺杂到热氧化SiO2/Si薄膜表面的Er原子浓度可达到～10%,即体浓度～1021cm.热氧化SiO)2膜越厚,溅射后SiO2保留量越多;再结晶硅颗粒结晶程度提高,逐渐纳米化;未见有大量的Er偏析或铒硅化物形成,Er大部分以固溶形式存在.在77K下获得了较强1.54μm光致发光信号,室温下发光强度温度猝灭不明显. |
| 关 键 词： | MEVVA离子源 双注入 掺铒硅 光致发光 |
Surface Structure and 1.54μm Light Emission of Silicon Plus Erbium Dual-Implanted Thermal SiO2/Si Thin Film |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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