|
|||||
|
|
| C离子注入Si中Si-C合金的形成及其特征 | |
| 引用本文： | 王引书,李晋闽,王玉田,王衍斌,林兰英.C离子注入Si中Si-C合金的形成及其特征[J].半导体学报,2001,22(8). |
| 作者姓名： | 王引书 李晋闽 王玉田 王衍斌 林兰英 |
| 作者单位： | 1. 北京师范大学物理系, 2. 中国科学院半导体研究所, 3. 中国科学院近代物理研究所, |
| 摘 要： | 利用离子注入和高温退火的方法在Si中生长了C含量为0.6%—1.0%的Si1-xCx合金，研究了注入过程中产生的损伤缺陷、注入C离子的剂量及退火工艺对合金形成的影响，探讨了合金的形成机理及合金产生的应变分布的起因．如果注入的C离子剂量小于引起Si非晶化的剂量，退火过程中注入产生的损伤缺陷容易与C原子结合形成缺陷团簇，难于形成Si1-xCx合金，而预先利用Si离子注入引进损伤有利于Si1-xCx合金的形成；但如果注入的C离子可以引起Si的非晶化，预先注入产生的损伤缺陷不利于Si1-xCx合金的形成．与慢速退火工艺相比，快速热退火工艺有利于Si1-xCx合金的形成．离子注入的C原子在空间分布不均匀，退火过程中将形成应变不同的Si1-x-Cx合金区域． |
| 关 键 词： | Si1-xCx合金 离子注入 损伤缺陷 应变分布 |
Si1-xCx Alloy Formation and Its Characteristics After Carbon Ion Implantation in Silicon |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《半导体学报》下载全文 | |