200mmBCD器件用硅外延片制备技术研究 |
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引用本文: | 仇光寅,刘勇,邓雪华,杨帆,金龙.200mmBCD器件用硅外延片制备技术研究[J].功能材料与器件学报,2023(1):46-51. |
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作者姓名: | 仇光寅 刘勇 邓雪华 杨帆 金龙 |
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作者单位: | 南京国盛电子有限公司 |
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摘 要: | 本文涉及200 mm BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)器件用硅外延片制备技术,通过结合BCD工艺用外延材料的特性要求,从外延图形漂移、外延层均匀性、表面缺陷等参数指标,分析了衬底埋层浓度、生长温度、生长速率、缓冲层结构等工艺参数对外延参数的影响,优化了BCD工艺用硅外延片的制备方法。本文采用常压化学气相沉积(CVD)技术制备了BCD工艺用200 mm硅(Si)外延材料,通过Hg-CV、SP1及SRP对埋层外延片进行测试分析,实验结果验证了工艺设计的正确性和有效性,提升了大尺寸埋层外延制备技术的产业化水平。
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关 键 词: | 埋层外延 高阻薄层 图形漂移 自掺杂 表面缺陷 |
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