| 微波低噪声SiGe HBT的研制 |
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| 引用本文： | 钱伟,张进书,贾宏勇,林惠旺,钱佩信. 微波低噪声SiGe HBT的研制[J]. 半导体学报, 2000, 21(5): 445-450 |
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| 作者姓名： | 钱伟 张进书 贾宏勇 林惠旺 钱佩信 |
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| 作者单位： | 清华大学微电子所北京 100084;清华大学微电子所北京 100084;清华大学微电子所北京 100084;清华大学微电子所北京 100084;清华大学微电子所北京 100084 |
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| 摘 要： | 利用3μm工艺条件制得SiGeHBT(HeterojunctionBipolarTransistor),器件的特征频率达到8GHz.600MHz工作频率下的最小噪声系数为1.04dB,相关功率增益为12.6dB,1GHz工作频率下的最小噪声系数为1.9dB,相关功率增益为9dB,器件在微波无线通信领域具有很大的应用前景
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| 关 键 词： | HBT SiGe 微波 低噪声EEACC:2560B 2560J |
| 文章编号： | 0253-4177(2000)05-0445-06 |
| 修稿时间： | 1999-03-10 |
Low Noise Microwave SiGe HBTs |
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| QIAN Wei,ZHANG Jin shu,JIA Hong|yong,LIN Hui|wang and TSIEN Pei|xin. Low Noise Microwave SiGe HBTs[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2000, 21(5): 445-450 |
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| Authors: | QIAN Wei ZHANG Jin shu JIA Hong|yong LIN Hui|wang TSIEN Pei|xin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | HBT SiGe microwave low noise |
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