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| 太赫兹真空电子器件用场发射阴极技术分析 | |
| 引用本文： | 李兴辉,白国栋,李含雁,丁明清,冯进军.太赫兹真空电子器件用场发射阴极技术分析[J].微波学报,2015(1):48-51. |
| 作者姓名： | 李兴辉 白国栋 李含雁 丁明清 冯进军 |
| 作者单位： | 北京真空电子技术研究所微波电真空器件国家级重点实验室 |
| 基金项目： | 科技部国家重大科学研究计划项目(2013BC933602) |
| 摘 要： | 本文阐述了太赫兹真空电子器件对阴极电子源的需求条件,分析了在该器件中应用场发射阴极的可能性。介绍了当前两种主要场发射阴极,即金属薄膜场发射阴极和碳纳米管场发射阴极的国内外发展情况,指出了它们各自的优势以及实际应用中存在的障碍,并提出了相应的解决途径。试验和分析结果表明,场发射阴极具有很好的太赫兹真空电子器件应用前景。 |
| 关 键 词： | 太赫兹 真空电子器件 场发射阴极 金属薄膜场发射阴极 碳纳米管 |
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