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| N-I-P 单结微晶硅太阳电池中N/I 与 I/P界面缓冲层的研究与优化 | |
| 引用本文： | 袁育杰,侯国付,张建军,薛俊明,曹丽冉,赵颖,耿新华.N-I-P 单结微晶硅太阳电池中N/I 与 I/P界面缓冲层的研究与优化[J].半导体学报,2009,30(3):034007-5. |
| 作者姓名： | 袁育杰 侯国付 张建军 薛俊明 曹丽冉 赵颖 耿新华 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划 |
| 摘 要： | 采用高压RF-PECVD技术制备了本征微晶硅薄膜和n-i-p结构微晶硅太阳电池。详细研究了n-i-p微晶硅太阳电池中n/i 和 i/p 缓冲层对太阳电池性能的影响。实验结果表明，提高n/i 界面晶化率以及在i/p 界面加入非晶缓冲层均有利于太阳电池性能的提高。通过优化界面缓冲层，微晶硅单结电池和非晶硅/微晶硅叠层电池的性能得到大幅度提高。 |
| 关 键 词： | 微晶硅 界面 缓冲层 n-i-p太阳电池 |
| 收稿时间： | 6/25/2008 1:08:37 PM |
| 修稿时间： | 11/5/2008 1:50:23 PM |
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