| （Bi2O3、ZnO）对（Zr0．8Sn0．2）TiO4介电性能的影响 |
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| 引用本文： | 刘相果,刘光聪,曾祥明,蹇胜勇. （Bi2O3、ZnO）对（Zr0．8Sn0．2）TiO4介电性能的影响[J]. 压电与声光, 2009, 31(1) |
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| 作者姓名： | 刘相果 刘光聪 曾祥明 蹇胜勇 |
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| 作者单位： | 四川压电与声光技术研究所,重庆,400060 |
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| 摘 要： | 采用常规固相合成工艺研究了添加剂Bi2O3、ZnO等对(Zr0.8Sn0.2)TiO4的烧结性能、微观结构和微波介电性能的影响.结果表明,陶瓷的烧结温度随着Bi2O3含量的增大而降低,而陶瓷的最大烧结密度随着Bi2O3的增大而增大;当w(Bi2O3)>3%时,其烧结可降低至1175℃;各种材料配方均能烧结出致密的陶瓷.陶瓷的介电常数随着Bi2O3含量的增大而略有增大,但增加幅度较小;而材料的介电损耗则随Bi2O3含量的增大而增加,且增大幅度较大.当w(ZnO)=1%、w(Bi2O3)=3%时,可在1190℃获得致密的陶瓷,在测试频率1 MHz下,介电常数约41,介电损耗为1.5×10-4,其综合微波介电性能最佳.
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| 关 键 词： | 添加剂 烧结性能 微观结构 介电性能 |
Effects of Dopants (Bi2O3 ZnO) on Dielectric Properties of (Zr0.8Sn0.2) TiO4 Microwave Ceramics |
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| LIU Xiang-guo,LIU Guang-cong,ZENG Xiang-ming,JIAN Sheng-yong. Effects of Dopants (Bi2O3 ZnO) on Dielectric Properties of (Zr0.8Sn0.2) TiO4 Microwave Ceramics[J]. Piezoelectrics & Acoustooptics, 2009, 31(1) |
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| Authors: | LIU Xiang-guo LIU Guang-cong ZENG Xiang-ming JIAN Sheng-yong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | (Zr0.8Sn0.2)TiO4 |
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