| 钝化处理对CdZnTe Γ射线探测器漏电流的影响 |
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| 引用本文： | 李万万,桑文斌,闵嘉华,郁芳,张斌,王昆黍.钝化处理对CdZnTe Γ射线探测器漏电流的影响[J].半导体光电,2003,24(5):312-315. |
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| 作者姓名： | 李万万 桑文斌 闵嘉华 郁芳 张斌 王昆黍 |
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| 作者单位： | 上海大学,电子信息材料系,上海,嘉定,201800 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;10175040; |
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| 摘 要： | 表面漏电流引起的噪声会限制CdZnTe探测器的性能 ,尤其对于共面栅探测器 ,漏电噪声的大小与器件的电极设计和表面处理工艺密切相关。研究了化学钝化的工艺条件对CdZnTe表面状态的影响 ,借助原子力显微镜、电子探针和微电流测试仪等手段 ,研究了CZT表面形貌、组成等特性与器件电学性能之间的关系 ,有效地降低了器件的表面漏电流
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| 关 键 词： | CdZnTe晶体 Γ射线探测器 钝化处理 漏电流 |
| 文章编号： | 1001-5868(2003)05-0312-04 |
| 修稿时间： | 2003年4月8日 |
The Effect of Surface Passivation on Leakage Current of CdZnTe Γ-ray Detector |
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