| 衬底温度对AlN薄膜结构及电阻率的影响 |
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| 引用本文： | 薛守迪,杨成韬,解群眺,毛世平. 衬底温度对AlN薄膜结构及电阻率的影响[J]. 压电与声光, 2011, 0(3) |
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| 作者姓名： | 薛守迪 杨成韬 解群眺 毛世平 |
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| 作者单位： | 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室;中国电子科技集团公司第26研究所; |
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| 基金项目： | “九七三”计划基金资助项目(51363Z04) |
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| 摘 要： | 采用直流反应磁控溅射法在Si(111)基片上制备了AlN薄膜,利用XRD、原子力显微镜(AFM)、电流-电压(I-V)测试仪等对不同衬底下制备薄膜的结构、形貌及电阻率等进行了分析表征。结果表明:随着衬底温度的升高,晶粒逐渐长大,AlN(002)择优取向明显改善,600℃达到最佳。一定范围内提高温度使晶粒均匀、致密,有利于改善表面粗糙情况和提高电阻率,550℃时表面粗糙度达到最低(2.8 nm)且有最大的电阻率(3.35×1012Ω.cm);同时薄膜应力随温度升高有增大趋势。
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| 关 键 词： | AlN薄膜 衬底温度 XRD 原子力显微镜(AFM) |
Effect of Substrate Temperature on Structure and Resistivity of AlN Thin Films |
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| XUE Shoudi,YANG Chengtao,XIE Quntiao,MAO Shiping. Effect of Substrate Temperature on Structure and Resistivity of AlN Thin Films[J]. Piezoelectrics & Acoustooptics, 2011, 0(3) |
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| Authors: | XUE Shoudi YANG Chengtao XIE Quntiao MAO Shiping |
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| Affiliation: | XUE Shoudi1,YANG Chengtao1,XIE Quntiao1,MAO Shiping2 (1.State Key Lab.of Electronic Thin Films and Integrated Devices,UESTC,Chengdu 610054,China,2.26th Institute of China Electronics Technology Group Corporation,Chongqing 400060,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | AlN thin film substrate temperature XRD AFM |
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