| 基于0.13μm工艺的低电压CMOS场效应管输出电导 |
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| 引用本文： | 杨志民,马义德,马永杰,摆玉龙,杨鸿武.基于0.13μm工艺的低电压CMOS场效应管输出电导[J].吉林大学学报(工学版),2009,39(1). |
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| 作者姓名： | 杨志民 马义德 马永杰 摆玉龙 杨鸿武 |
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| 作者单位： | 1. 西北师范大学,物理与电子工程学院,兰州,730070
2. 兰州大学,信息科学与工程学院,兰州,730070
3. 西北师范大学,物理与电子工程学院,兰州,730070;兰州交通大学,机电技术研究所,兰州,730070 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(60875015);;西北师范大学知识与科技创新工程项目(NWUN-KJCXGC-03-24) |
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| 摘 要： | 对采用0.13μm工艺(p13)低电压工作条件下的CMOS模拟集成电路设计中场效应管的模型参数输出电导gd进行了研究,给出了设计公式。根据所研究的结果设计了一个两级运算放大器电路并进行了仿真。仿真结果与设计结果吻合得很好,证明了设计公式的有效性。
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| 关 键 词： | 半导体技术 集成电路 0.13μm工艺 CMOS场效应管 输出电导 |
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