| 基于GaAs衬底的晶格失配InAs0.07Sb0.93薄膜的红外探测特性 |
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| 引用本文： | 黄亮,陈平平,王少伟,李志锋.基于GaAs衬底的晶格失配InAs0.07Sb0.93薄膜的红外探测特性[J].半导体光电,2014,35(6):958-962. |
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| 作者姓名： | 黄亮 陈平平 王少伟 李志锋 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083;中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083;中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083;中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083 |
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| 基金项目： | 国家基础研究重大项目(2011CB922004,2013CB632802);国家自然科学基金项目(61376053,61376015). |
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| 摘 要： | 利用MBE的方法在晶格失配的GaAs衬底上制备了新型红外探测材料InAs0.07Sb0.93薄膜。并利用电子束刻蚀的方法在InAs0.07Sb0.93薄膜表面进行了电极的制备。使用标准黑体及傅里叶红外光谱仪对制备成的光电导器件的黑体响应、暗电流以及光电流谱进行了测试,结果表明,所制备的红外探测器获得了响应峰值为4μm、响应半峰宽为4μm的中波宽带响应。
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| 关 键 词： | InAsSb薄膜 中波 红外探测器 |
| 收稿时间： | 2014/3/31 0:00:00 |
Photoelectronic Response Characteristics of Lattice MismatchedInAs0.07Sb0.93 Films Based on GaAs Substrate |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | InAsSb film mid-infrared infrared detector |
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