| 掺锡氧化铟基底上锆钛酸铅铁电薄膜的制备与表征 |
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| 引用本文： | 刘爽,吴亚雷,许晓慧,文莉,黄文浩,褚家如.掺锡氧化铟基底上锆钛酸铅铁电薄膜的制备与表征[J].纳米技术与精密工程,2007,5(4):327-330. |
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| 作者姓名： | 刘爽 吴亚雷 许晓慧 文莉 黄文浩 褚家如 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学精密机械与精密仪器系,合肥,230026 |
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| 摘 要： | 用溶胶-凝胶工艺在掺锡氧化铟导电氧化物基底上制备了锆钛酸铅（PZT）铁电薄膜．采用快速热处理工艺改进铁电薄膜的晶格取向，用X射线衍射仪分析了薄膜的结晶取向，分别基于Al／PZT／ITO，1TO／PZT／1TO电容结构利用Sawyer-Tower电路原理测试了薄膜的铁电性能．结果表明，在磁控溅射法生长的1TO表面能够制备出具有钙钛矿结构的（110）取向的PZT铁电薄膜，所得薄膜的相对介电常数达到1000，剩余极化强度Pr达到和Pt基底上接近的15．2uc／cm^2，矫顽场强Ec达到70．8kV/cm．并且利用TF Analyzer 2000铁电分析仪测试了PZT铁电薄膜的疲劳特性，发现ITO底电极上PZT薄膜经过108次反转后，剩余极化强度仅下降15％．研究表明：磁控溅射法制备的掺锡氧化铟透明导电薄膜ITO可以作为铁电薄膜的上下电极．
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| 关 键 词： | 铁电薄膜 电学性能 掺锡氧化铟 疲劳特性 |
| 文章编号： | 1672-6030(2007)04-0327-04 |
| 修稿时间： | 2007年8月12日 |
Preparation and Characterization of Pb(ZrxTi1-x)O3 Thin Film on Indium Tin Oxide |
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| LIU Shuang,wu Ya-lei,XU Xiao-hui,WEN Li,HUANG Wen-hao,CHU Jia-ru.Preparation and Characterization of Pb(ZrxTi1-x)O3 Thin Film on Indium Tin Oxide[J].Nanotechnology and Precision Engineering,2007,5(4):327-330. |
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| Authors: | LIU Shuang wu Ya-lei XU Xiao-hui WEN Li HUANG Wen-hao CHU Jia-ru |
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