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| 大量生产HgCdTe所遇到的技术问题（下） | |
| 引用本文： | 顾聚兴.大量生产HgCdTe所遇到的技术问题（下）[J].红外,2003(1):35-39. |
| 作者姓名： | 顾聚兴 |
| 作者单位： | |
| 摘 要： | 4 SOFRADIR公司大量生产的主要 HgCdTe产品4.1 288×4元红外焦平面列阵 法国红外探测器公司的288×4元探测器确实是一种“畅销品”,而且已成为该公司开发第二代探测器市场的先锋。目前在世界范围内研制和生产的大多数第二代前视红外(FLIR)热摄像机都基于这种类型的探测器(见图11)。在这些第二代前视红外系统中,某些热成像器已经 |
| 关 键 词： | 碲镉汞三元化合物 半导体 红外焦平面列阵 红外探测器 HgCdTe 技术问题 |
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