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85MeV^19F离子辐照GaP的正电子湮没研究
引用本文:王荣  徐勇军黄龙,朱升云. 85MeV^19F离子辐照GaP的正电子湮没研究[J]. 核技术, 2001, 24(4): 274-276
作者姓名:王荣  徐勇军黄龙  朱升云
作者单位:王荣(中国原子能科学研究院核物理研究所 北京 102413);徐勇军(中国原子能科学研究院核物理研究所 北京 102413);黄龙(中国原子能科学研究院核物理研究所 北京 102413);朱升云(中国原子能科学研究院核物理研究所 北京 102413)
基金项目:国家自然科学基金(19835050)和预研基金(97J11.2.8HZ010)资助
摘    要:用正电子湮没寿命技术研究了2.4×10

关 键 词:辐照效应 正电子湮没 抗辐射性能 磷化镓半导体 氟19离子辐照
修稿时间:1999-08-20

A positron annihilationstudy of radiation effect in GaP irradiated by 85MeV 19F ion
WANG Rong. A positron annihilationstudy of radiation effect in GaP irradiated by 85MeV 19F ion[J]. Nuclear Techniques, 2001, 24(4): 274-276
Authors:WANG Rong
Abstract:
Keywords:
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