| 1.31μm垂直腔面发射激光器材料生长及其物理特性 |
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| 引用本文： | 吴惠桢,黄占超,劳燕锋.1.31μm垂直腔面发射激光器材料生长及其物理特性[J].半导体学报,2005,26(13):121-125. |
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| 作者姓名： | 吴惠桢 黄占超 劳燕锋 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室，上海 200050;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室，上海 200050;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室，上海 200050 |
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| 摘 要： | 采用气态源分子束外延（GSMBE）技术在InP衬底上生长发光波长为131μm的InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱和在GaAs衬底上生长GaAs/AlGaAs分布布拉格反射镜（DBR) ，并用直接键合技术将生长在InP基上的InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱结构组装到GaAs衬底上生长的DBR结构上，对其微结构和发光等特性进行了比较系统的研究.发现500～620℃的高温键合过程和后续的剥离工艺不仅没有引起量子阱发光效率的降低，反而由于键合过程中的退火改进了晶体质量，大大提高了量子阱的发光强度，其中620℃退火处理后的光致发光强度是原生样品的3倍.
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| 关 键 词： | GaAs/AlGaAs分布布拉格反射镜 InAsP/InGaAsP多量子阱 键合 |
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