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| Ⅱ—Ⅵ族宽带隙半导体的分子束外延 | |
| 引用本文： | 徐梁,陈云良,王海龙.Ⅱ—Ⅵ族宽带隙半导体的分子束外延[J].量子电子学报,1992(4). |
| 作者姓名： | 徐梁 陈云良 王海龙 |
| 作者单位： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 201800 (徐梁，陈云良)，中国科学院上海光学精密机械研究所 201800(王海龙) |
| 摘 要： | 我们用分子束外延法已生长出了ZnSe、ZnTe单晶薄层。外延层的生长速率基本上由分子束流量和衬底温度决定。本文讨论了这种二元化合物的生长速率,包括衬底温度、结晶性及分子束强度,并和实验结果作了比较分析。所获得的生长速率与衬底温度和入射束比的关系能用原子表面覆盖度的动力学方程得到解释。 |
| 关 键 词： | 分子束外延 Ⅱ-Ⅵ族化合物 半导体 |
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