| 纳米4-H碳化硅薄膜的掺杂现象 |
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| 引用本文： | 张洪涛,徐重阳,邹雪城,王长安,赵伯芳,周雪梅,曾祥兵.纳米4-H碳化硅薄膜的掺杂现象[J].半导体学报,2002,23(7):722-724. |
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| 作者姓名： | 张洪涛 徐重阳 邹雪城 王长安 赵伯芳 周雪梅 曾祥兵 |
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| 作者单位： | 华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430074 |
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| 基金项目： | 高等学校博士学科点专项科研项目;99J10384; |
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| 摘 要： | 对纳米晶SiC薄膜进行了P和B的掺杂,B掺杂效率比P高,其暗电导预前因子与激活能遵守Meyer-Neldel规则,并有反转Meyer-Neldel规则出现.掺杂效率比非晶态碳化硅薄膜高是纳米碳化硅薄膜的特点之一.非晶态中的隧穿和边界透射对输运有一定贡献.
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| 关 键 词： | SiC薄膜 纳米结构 掺杂 电导率Meyer-Neldel规则 |
| 文章编号： | 0253-4177(2002)07-0722-03 |
| 修稿时间： | 2001年10月6日 |
Doping of Nanocrystalline Four Hexagnol Silicon Carbide Films |
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| Zhang Hongtao,Xu Zhongyang,Zou Xuecheng,Wang Chang''''an,Zhao Bofang,Zhou Xuemei and Zeng Xiangbing.Doping of Nanocrystalline Four Hexagnol Silicon Carbide Films[J].Chinese Journal of Semiconductors,2002,23(7):722-724. |
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| Authors: | Zhang Hongtao Xu Zhongyang Zou Xuecheng Wang Chang'an Zhao Bofang Zhou Xuemei and Zeng Xiangbing |
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| Abstract: | Compared with phosphorus in SiC films,the doping efficiency of boron is much higher.Their dark conductivities obey both Meyer Neldel rule and inverse Meyer Neldel rule.The doping efficiency of nanocrystalline SiC films is higher than that of amorphous silicon carbide films.High transport efficiency is ascribed to the tunneling amouphous states and the interface transmission between amorphous network and nanocrystalline. |
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| Keywords: | SiC films nano structure doping conductivity Meyer Neldel |
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