| 室温合成的钙钛矿量子点及其电致发光二极管 |
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| 作者姓名： | 王振 卢永生 陈家雯 肖飞 梁真山 彭悦 陈威威 张文霞 戚飞 张楠 张丽 |
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| 作者单位： | 重庆邮电大学光电工程学院微电子工程重点实验室,重庆400065;重庆市南岸区教师进修学院,重庆400060 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(61804020);重庆市基础研究与前沿探索项目(cstc2018jcyjAX0462,cstc2018jcyjAX0547,cstc2018jcyjAX0560);重庆市教委科学技术研究项目(KJQN201900643,KJQN201900630).通信作者:王振E-mail:wangzhen@cqupt.edu.cn |
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| 摘 要： | 采用室温合成法制备出CsPbBr3钙钛矿量子点,并采用乙酸乙酯对量子点进行了一次、二次和三次清洗,以控制其表面配体密度。然后,利用合成并经过清洗的钙钛矿量子点制备了结构为ITO/PEDOT∶PSS/PTAA/CsPbBr3 QD/TPBi/LiF/Al的电致发光二极管(QLED)。研究了经不同清洗次数的量子点材料制备的器件的光电性能。结果表明,清洗2次的量子点在电荷注入与溶液稳定性之间得到平衡,利用其制备的钙钛矿QLED获得了最大亮度为1405cd/m2、外量子效率为0.6%、色坐标为(0.127,0.559)的绿光发射。
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| 关 键 词： | 钙钛矿 量子点 清洗次数 发光二极管 |
| 收稿时间： | 2020-10-29 |
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