| 硅基键合InP-InGaAsP量子阱连续激光器的研制 |
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| 作者姓名： | 于丽娟 赵洪泉 杜云 李敬 黄永箴 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 集成光电子国家重点实验室,北京 100083;中国科学院半导体研究所 集成光电子国家重点实验室,北京 100083;中国科学院半导体研究所 集成光电子国家重点实验室,北京 100083;中国科学院半导体研究所 集成光电子国家重点实验室,北京 100083;中国科学院半导体研究所 集成光电子国家重点实验室,北京 100083 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)
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国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 采用键合技术在Si基上制备了InP-InGaAsP量子阱激光器,实现了电注入室温连续工作.采用低温直接键合的方法,将Si衬底和InP-InGaAsP外延片键合在一起,并制成条宽6μm的脊波导边发射激光器.室温连续工作的1.55μm激光器阈值电流为48mA,对应的阈值电流密度和微分电阻分别为2.13kA/cm2和5.8Ω,在约220mA时输出光功率达15mW.
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| 关 键 词： | 硅基激光器 连续激射 直接键合 硅基 直接键合 量子阱激光器 连续激光器 Wafer Bonding 光功率 输出 电阻 微分 阈值电流密度 对应 边发射激光器 脊波导 外延片 方法 低温 连续工作 室温 电注入 键合技术 |
| 文章编号： | 0253-4177（2007）07-1117-04 |
| 修稿时间： | 2007-03-01 |
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