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| 低气压放电开关沿面闪络触发器的性能研究 | |
| 引用本文： | 姚学玲,陈景亮,曾正中.低气压放电开关沿面闪络触发器的性能研究[J].高电压技术,2008,34(1):73-77. |
| 作者姓名： | 姚学玲 陈景亮 曾正中 |
| 作者单位： | 1. 西北核技术研究所,西安,710024;西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安,710049 2. 西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安,710049 3. 西北核技术研究所,西安,710024 |
| 基金项目： | 浙江省重大项目资助(2004C11007)~~ |
| 摘 要： | 脉冲功率技术和脉冲电流试验技术对放电开关提出了越来越高的要求,如较长的使用寿命、宽的工作范围、较小的触发时延及抖动等。为了满足这些需求,设计了伪火花开关的氧化锌半导体和高介钛酸钡陶瓷介质沿面闪络的触发装置,通过对表面放电触发器的实验发现:高介钛酸钡陶瓷沿面闪络触发器显示出强而快的电荷释放能力,在伪火花开关工作的气压范围内,触发器能够在20～30ns内释放20～30μC的电荷量,释放的电子数达到1.25×1014～1.875×1014,触发电流的上升陡度可达120～320GA/s。上述两种介质材料制作的PSS,气压7Pa时,自击穿电压28kV,最小工作电压分别为360、130V,放电延时分别为380～106ns和80～35ns,时延抖动分别为85～23ns和22～6ns。研究结果表明:高介钛酸钡陶瓷沿面闪络触发器显示出比氧化锌半导体强而快的电荷释放能力,由其制作的伪火花开关具有极低的放电时延和时延抖动。 |
| 关 键 词： | 伪火花开关 沿面闪络 氧化锌半导体 钛酸钡陶瓷 电荷释放能力 放电时延 时延抖动 |
| 文章编号： | 1003-6520（2008）01-0073-05 |
| 收稿时间： | 2006-12-11 |
| 修稿时间： | 2006年12月11 |
Experimental Investigation of Surface Flashover Trigger Device for Low-pressure Discharging Switch |
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| YAO Xue-ling,CHEN Jing-liang,ZENG Zheng-zhong.Experimental Investigation of Surface Flashover Trigger Device for Low-pressure Discharging Switch[J].High Voltage Engineering,2008,34(1):73-77. | |
| Authors: | YAO Xue-ling CHEN Jing-liang ZENG Zheng-zhong |
| Affiliation: | 1(1. Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi’an 710024, China; 2. State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China) |
| Abstract: | |
| Keywords: | pseudospark switch surface flashover ZnO semiconductor BaTiO3 dielectric material released charge ability discharging delay delay jitter |
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