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| ZnSe/ZnCdSe多量子阱激子光学非线性 | |
| 引用本文： | 栗红玉,申德振,张吉英,杨宝均,范希武.ZnSe/ZnCdSe多量子阱激子光学非线性[J].半导体学报,1998,19(1):12-15. |
| 作者姓名： | 栗红玉 申德振 张吉英 杨宝均 范希武 |
| 作者单位： | 中国科学院长春物理研究所激发态物理开放实验室 |
| 摘 要： | 本文采用泵浦－探测技术研究了ＺｎＳｅ／ＺｎＣｄＳｅ多量子阱室温激子饱和吸收，并根据Ｋ－Ｋ关系计算得到５２１．６ｎｍ至５４４ｎｍ的光学非线性折射率的变化．观测到由折射率变化引起的ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳｅ多量子阱光双稳器件的室温激子光双稳．根据ＺｎＳｅ／ＺｎＣｄＳｅ多量子阱的激子吸收谱及激子的非线性理论，归结其主要非线性机制为激子态的相空间填充和激子带展宽． |
| 关 键 词： | 多量子阱 激子光学非线性 宽带Ⅱ－Ⅵ族 半导体 |
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