| 重掺杂n型GaN材料特性研究 |
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| 引用本文： | 张云龙,韩军,邢艳辉,郭立建,王凯,于保宁.重掺杂n型GaN材料特性研究[J].半导体光电,2016,37(4):499-504. |
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| 作者姓名： | 张云龙 韩军 邢艳辉 郭立建 王凯 于保宁 |
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| 作者单位： | 北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室,北京,100124;北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室,北京,100124;北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室,北京,100124;北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室,北京,100124;北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室,北京,100124;北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室,北京,100124 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(61204011,11204009);北京市自然科学基金项目(4142005);北京市教委能力提升项目(PXM2014_014204_07_000018) |
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| 摘 要： | 采用金属有机化合物气相外延方法制备了不同SiH4流量下重掺杂n型GaN材料,研究发现在SiH4流量为20 cm3/min时样品获得较高的电子浓度,达到6.4×1019 cm-3,同时材料的结晶质量较好.光荧光测试发现重掺杂使GaN材料的杂质能带进入导带形成带尾态,使带边峰变得不尖锐,并且发现SiH4流量以及材料的刃位错密度与黄光带发光有关.采用Delta掺杂方式生长的重掺杂样品,样品表面粗糙度降低,晶体质量明显改善,但黄光带发光强度增强.缺陷选择性腐蚀研究发现Delta掺杂方式主要通过降低螺位错密度来改善晶体的质量.
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| 关 键 词： | MOCVD 重掺杂n型GaN 光电特性 缺陷选择性腐蚀 |
| 收稿时间： | 2015/10/10 0:00:00 |
Investigation on Characteristics of Heavy Si-doping GaN Grown by MOCVD |
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| ZHANG Yunlong,HAN Jun,XING Yanhui,GUO Lijian,WANG Kai,YU Baoning.Investigation on Characteristics of Heavy Si-doping GaN Grown by MOCVD[J].Semiconductor Optoelectronics,2016,37(4):499-504. |
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| Authors: | ZHANG Yunlong HAN Jun XING Yanhui GUO Lijian WANG Kai YU Baoning |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MOCVD heavy dopded n-type GaN optical and electrical properties defect-selective etching |
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